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阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性，比较和分析了不同的可靠性测试方法，并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。
应用于EEPROM的超薄SiO2 TDDB特性的研究
【摘 要】
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阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性，比较和分析了不同的可靠性测试方法，并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。
【机 构】
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清华大学微电子所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年3期
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