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期刊论文
一种LDO使能控制端失效的分析方法
一种LDO使能控制端失效的分析方法
来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:edercito
【摘 要】
:
提出了一款低压线性稳压器LDO使能控制端失效分析过程,并以此为例详细阐述了芯片失效分析的过程和分析方法。通过对失效现象的测试分析,基本确认EN端失效的模式,再通过EMMI、
【作 者】
:
梁莎
阮颐
路静
【机 构】
:
上海贝岭股份有限公司
【出 处】
:
集成电路应用
【发表日期】
:
2018年3期
【关键词】
:
低压线性稳压器
LDO
使能端
Bias模块
Bandgap模块
IC design
low dropout regulator
LDO
enable Pin
【基金项目】
:
上海市科学技术委员会集成电路研发基金(15511107100)
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提出了一款低压线性稳压器LDO使能控制端失效分析过程,并以此为例详细阐述了芯片失效分析的过程和分析方法。通过对失效现象的测试分析,基本确认EN端失效的模式,再通过EMMI、FIB、仿真等技术手段,最终确认芯片的失效机理,对于LDO产品的设计、优化和分析有重要参考意义。
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