【摘 要】
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在1微米栅长的GaAs FET中观察到反常的雪崩效应和耿效应。讨论了它们引起微波电路的恶化以及这些效应形成的原因。还报导了消除这些不良效应的几种可行的解决办法。
Anomalo
【机 构】
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美国HP公司SantaRosa部,
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在1微米栅长的GaAs FET中观察到反常的雪崩效应和耿效应。讨论了它们引起微波电路的恶化以及这些效应形成的原因。还报导了消除这些不良效应的几种可行的解决办法。
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