对硅微波功率器件金属化系统的改进

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qiuyu19860916
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将带有TiN,Mo和W阻挡层的Au金属化系统用在高频功率管上,对其EB结进行了高温大电流应力试验。结果表明采用TiN作阻挡层的器件寿命比用W作阻挡层的器件提高了2.2倍,比用Mo作阻挡层的器件提高了1.3倍。SEM和TEM观察表明,用Ti/TiN/Pt/Au作金属化的产品的失效是由金属化的横向电迁徙导致的开路引起的,X射线分析结果表明Au没有穿过TiN进入Si褡底,TiN起到了良好的阻挡层效果。
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