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基于IBMSiGe0.13μm BiCMOS工艺,设计了一个工作在超过BVceo的SiGe HBTs classE功放,在产生高的输出功率的同时又保持了比较高的功率附加效率.利用SiGe堆叠E类结构来增加整体的电压摆幅,每个管子都是工作在安全操作区域,同时电压是超过BVceo的,进一步加大了功放的输出功率.设计了级间匹配网络,既保持了输出级比较高的击穿电压,又兼顾了功放的性能.在10GHz工作频率下,功放的峰值PAE达到了47.4%,同时其输出功率达到21.43dBm.