硅尖阵列场致发射阴极及其二极管制备工艺初探

来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tina_xu
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
随着大规模集成电路技术的发展,采用化学腐蚀的方法制备硅尖阵列及其二极管在真空微电子学中已被广泛采纳和应用。本文简要叙述了在各向同性腐蚀和各向异性腐蚀下硅尖形成的基本理论,讨论了硅尖形成的常用方法及其相关技术,扼要地介绍了硅尖阵列及其二极管制备过程中涉及到的重要工艺(如氧化锐化、平面化技术、静电键合和自对准工艺)。
其他文献
开发了一种对角线为8.5cm的新型反射式彩色LCD,它的液晶盒结构是三层叠加型,材料是CMY宾主LC,其LCs用TFT有源矩阵驱动法驱动。光学性能得到改善,取得了较高的反射率和良好的图像质
自从1936年Destriau发现ZnS:Mn电致发光以来,电致发光显示(EL)技术不断发展,商品化的EL产品也层出不穷。其中有交流粉末型、直流粉末型、交流薄膜型和直流薄膜型。所有这些类型
已经开发出几种新类型滤色器制造工艺,光刻法制造滤色器的工艺最成功。色料分散在光刻胶中的工艺也常使用。另外,还在研究用电镀法和印刷法制造滤色器。色料分散法制造的滤色
介绍了一种采用 ZnS:Sm,F 薄膜作为发光层的红色 ACTFEL 器件,并对该 ACTFEL 器件的发光机理进行了讨论。
详细试验了在1000V激发能量下二种候选的绿色FED荧光粉Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>∶Tb和SrGa<sub>2</sub>S<sub>4</sub>∶Eu的性能。在Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S∶Tb荧
本文介绍了一种我们研制的256&#215;128线交流薄膜电致发光显示器件的工作原理,结构形式,基本工艺,性能参数及整机驱动技术。
采用 XPS 技术研究了直流磁控溅射 ITO 膜的结构组成及其化学态。分析了成膜工艺——热处理、反应气体 O_2流量等对 ITO 膜表面及内部成分比例的影响。
利用光电容法探测了薄膜电致发光(TFEL)器件的深能级并比较器件的多层结构(ITO/SiO_2/ZnS:Mn/SiO_2/SiO/Al)与单层结构的光电容谱,确定了深能级的空间位置。从而初步弄清了该