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应用ＰＥＣＶＤ工艺，研究了四层结构（电荷阻挡层、电荷输运层、光敏层、保护层）的非晶硅感光鼓。在充电电压为５０００Ｖ，照度１０ｌｘ下，带电电位可达６５０Ｖ。
大面积非晶硅光导薄膜的研制
【摘 要】
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应用ＰＥＣＶＤ工艺，研究了四层结构（电荷阻挡层、电荷输运层、光敏层、保护层）的非晶硅感光鼓。在充电电压为５０００Ｖ，照度１０ｌｘ下，带电电位可达６５０Ｖ。
【机 构】
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华中理工大学计算机系
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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1997年1期
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