论文部分内容阅读
介绍了应用结击穿由简单的二端晶体管所构成的新型瞬态电荷存贮单元。该存贮单元的特点是:易于制作;单元面积小(～1密耳~2);输出信号大("1"和"0"之差约为5pC);能高速地读、写(<10ns);平均功耗低(<10微瓦/位);能抗小电压的干扰。存贮时间取决于pn结的反向漏电,对典型器件,室温下存贮时间大于10毫微秒。讨论了晶体管的击穿衰变并提出了避免这种衰变的存贮单元的制作方法。也谈到了一些初步的实验结果。