薄膜SOI/CMOS的SPICE电路模拟

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鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实用性,分析了器件参数对SOI/CMOS电路速度的影响,这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践. Since SPICE is the universal circuit simulation program widely used in the world and has the flexibility of scalable model, we ported the new device model-SOIMOSFET model into SPICE by modifying the SPICE source program. Through our simulation work, we confirmed The correctness of our model and the practicality of the circuit, the influence of the device parameters on the speed of the SOI / CMOS circuit is analyzed. These conclusions can well guide the circuit design and process practice.
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