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本文通过发展ＬＭＴＯ－ＬＣＡＯ方法，给出了典型的过渡金属碳化物的紧束缚参量。在虚晶格近似和相干势近似下计算了有缺陷的复合材料的能带结构和态密度，从而比较好地揭示了掺杂和空位对材料的电子结构及物性的影响。该方法具有一定的可应用性。
掺杂和空位对过渡金属碳化物电子结构的影响
【摘 要】
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本文通过发展ＬＭＴＯ－ＬＣＡＯ方法，给出了典型的过渡金属碳化物的紧束缚参量。在虚晶格近似和相干势近似下计算了有缺陷的复合材料的能带结构和态密度，从而比较好地揭示了掺杂和空位对材料的电
【机 构】
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冶金部钢铁研究总院,清华大学现代应用物理系
【出 处】
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金属功能材料
【发表日期】
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1994年4期
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