用PECVDS制备SnO2薄膜的结构,成份和气敏特性

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采用PECVD 玻璃基片上制备出适合研制气敏感传感器的低电阻率SnO2薄膜,X-线衍射分析表明沉积温度由高到低时,SnO2薄膜从多晶态转变为非晶态,同时薄膜的电阻增加。X光电子能谱显示这种SnO2薄膜是一种非化学计量配比成分的薄膜,其分子式为SnO2x,沉积时,氧气流量增加,该薄膜的电阻率随之增加。掺Sb的SnO2薄膜对一氧化碳和酒精具有良好的气敏特性。
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