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通过研究LED的有源层(量子阱)和Ag纳米点阵的表面等离激元(SPP)、局域等离激元(LSP)的电磁增强效应产生有效的近场耦合(near-field coupling)作用,分析Ag纳米点阵对LED发光增强的影响.研究表明,Ag点阵的SPP、LSP对LED量子阱存在发光增强作用,在15%左右的Ag点阵覆盖率下可使量子阱发光有约10%的增强.而在更高的覆盖率下,反而出现发光减弱.