【摘 要】
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采用基于态密度泛函理论的第一性原理赝势法,分析了直径为1.2 nmn的ZnO量子点体系(Zn45 O45H72,并经H钝化)在中心、中间、表面三种不同位置Mn掺杂情况下的晶体结构、能带结构
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室,广州510006;华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室,广州510006;华南师范大学量子物质研究院广东省
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采用基于态密度泛函理论的第一性原理赝势法,分析了直径为1.2 nmn的ZnO量子点体系(Zn45 O45H72,并经H钝化)在中心、中间、表面三种不同位置Mn掺杂情况下的晶体结构、能带结构、态密度分布和磁性.模拟结果表明:中间位置掺杂时,体系的结合能最低,同时导电性能最好;中心位置掺杂略劣于中间位置掺杂;而表面位置掺杂时,结合能明显偏高,同时导电性能明显减弱.在磁性方面,随着掺杂位置变化,体系中各原子的总磁矩和磁矩分布会发生明显变化,但体系的总磁矩基本不变.
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