n型半导体相关论文
本文系统地介绍了由于半导体TiO的光电化学性质而获取的金属的阴极保护效应及其应用,从理论和技术上阐明了金属TiO光阴极保护的可......
金刚石半导体由于其特殊的机械性能使其在极端环境下有较广的应用前景.虽然通过硼(B)元素掺杂较易得到p型金刚石半导体,但具有优异......
由于在大面积柔性有机电子产品中潜在的应用前景,有机场效应晶体管（Organic Field Effect Transistors,OFETs）作为最重要的电学元件......
本文通过Langmuir单探针和光发射谱对合成金刚石薄膜的等离子体环境进行了原位诊断；初步探讨了金刚石薄膜生长的动力学过程；并采用辉......
太阳能光催化技术的应用成为解决全球环境与资源问题的重要途径,而寻找高效稳定的光催化剂已经成为一项重要的课题。本文选取了n型......
纳米氧化钨作为一种重要的n型半导体材料，因具有独特的物理化学性能而在催化、传感、光电器件等领域具有广阔的应用前景。随着纳米......
该文研究了在混合气体中直流磁控溅射ITO/CTO薄膜,得到如下的结论:(1)对薄膜结构的研究发现,随Sn/In比率的不同,ITO膜的择优取向从......
SnO2是一种重要的n型半导体,在常温下其禁带宽度为3.6 eV。由于SnO2一维纳米材料具有特殊的气敏、透光和导电特性,在构造气敏传感......
以Zn(NO3)2和Na2WO4为主要原料,利用水热法制备了一系列的纳米ZnWO4,探讨了水热条件对产物物相和形貌的影响,并研究了不同形貌样品......
到目前为止，性能不断迅速提高的透明氧化物半导体全部都是n型半导体（由电子导电）。而对P型半导体（由空穴导电）来说，尽管许多工程师在很久......
在实际应用方面，同ZnO相比，透明非晶氧化物半导体（TAOS：transparent amorph ousoxide semiconductors）很可能较早地用于显示屏的驱动TFT......
用超声分散浸渍法制备了掺杂SO4^2-的In2O3半导体气敏材料，并对其电导和气敏性能进行了研究．结果表明：SO4^2-的掺入改变了N型半导体In......
金红石单晶体经中子辐照后,不仅由无色透明变为深兰色,而且导电特性发生很大变化,且由高绝缘材料变为n型半导体.作者分别在低温、......
晶体管有三个区-发射区、基区和集电区，三个区各引出一根电极(e、b、c)；有两个PN结，发射区和基区间的PN结称为发射结，集电区和基区间的......
利用化学中原子结构的相关知识，解释物质能够导电的原因；在本征半导体中掺入微量的5价元素制成N型半导体，掺入微量的3价元素制成P型半......
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（FraunhoferISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的P型半导体层的单晶硅太......
本文由受主缺陷扩散层模型详细计算了扩散极限下晶界附近的准费米能级的空间变化。对ｎ型半导体费米能级的变化几乎全部落在负偏向的......
如图1示,接地金属壳空腔内有两个带电体C和D,C带负电,D带正电,D带的正电荷数量和C带的负电荷数量完全相等。 图1 图2 在离C较近的......
对金刚石n型掺杂工艺中的施主元素的类型、机理、及所使用的基底材料和方法进行了综合评述,并对I族元素(Li,Na),V族元素(N,P),Ⅵ族......
LED作为第四代照明光源,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光,由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地......
采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在5% Na2SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为.防锈油膜......
采用电位-电容法及Mott-Shottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在3%氯化钠溶液中失效过程的导电机制转变行为.研究表明,......
采用电位-电容法及Mott—Schottky分析技术研究了有机清漆在5‰硫酸溶液中的半导体导电行为．研究表明，有机清漆空间电荷层电容远小于......
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（FraunhoferISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的P型半导体层的单晶硅太......
以推广了的Jacobson方法,由Ginzburg-Landau方程出发,推导出了SSeS超导结的直流Josephson效应.从而进一步求得了SSeS超导结的临界......
基于第一性原理,研究（9,0）型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的......
本研究以Fe-20Cr不锈钢为对象,采用磁控溅射技术制备纳米涂层,用多种配比的酸性腐蚀溶液侵蚀Fe-20Cr纳米涂层样本,样本表层产生钝......
据www．techbriefs．com网站报道，美国宇航局喷气推进实验室对一种nBn红外探测器的基本结构进行了改进。其中，n型半导体接触层将被具有适......
笔者曾谈论过空穴和霍尔效应问题，试图回答，在本质上都是电子移动的情况下，为什么自由电子导电（n型半导体）和空穴导电（p型半导体）会出现相......
采用电位-电容法及Mott—Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下304不锈钢钝化膜在酸、碱性溶液中的半导体导电行为。研究表明，30......
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的P型半导体层的单晶硅太......
本刊讯：2009年8月28日,应甘肃省科学院传感技术研究所邀请,国际超硬膜领域著名学者、香港城市大学教授张文军前来该所做了题为“纳......
本文以不同掺杂浓度的N型和P型硅片作为半导体电极,分别和铝电极组成高压端,向低密度聚乙烯(LDPE)中注入电荷,通过电声脉冲法(PEA)......
采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了有机清漆在5％氢氧化钠溶液中的半导体导电行为。研究表明，有机清漆空间电荷层电容（Cap......
采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下20号碳钢及涂层体系在酸、碱和盐溶液中的半导体导电行为。结果......
氧化物电影在在 373 K 之间的温度范围在基于 Fe 的体积的表面上形成了金属性的眼镜， 573 K 被描绘，他们腐蚀行为上的效果被微结构和......
LED作为第四代照明光源，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光，其由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另......
采用RF平面磁控溅射技术在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜.对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究......
本文采用往复区熔法生长了掺杂SbI3的(Bi2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05赝三元n型半导体温差电材料,测定了晶棒轴向温差电性能......
SnS由低毒、廉价、高丰度的元素组成,在热电研究领域受到广泛关注。采用机械合金化（MA）结合放电等离子烧结（SPS）工艺制备了n型SnS1-xCl......
基于有效质量理论，从导带子带间光跃迁矩阵元的表达式出发，推出ｎ型半导体量子陆红外探测器的正入射吸收条件，用一些简单的数学手段，把正......
作为半导体材料的金刚石具有宽的禁带宽度和高的热导率、介质击穿场强等优异性质,因此其应用前景广阔。P型金刚石发展较N型金刚石......
本硕士学位论文采用室温湿法还原的方法,制备了粒径适中且形貌均一的Cu2O纳米晶体。结合X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、x......
<正> 近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶......
