【摘 要】
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利用高分辨X射线衍射（HRXRD）与拉曼散射光谱（Ramanscatteringspectra）研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积（LP—MOCVD）在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院研究生院
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利用高分辨X射线衍射（HRXRD）与拉曼散射光谱（Ramanscatteringspectra）研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积（LP—MOCVD）在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明：与氮化处理后生长的a-GaN相比，使用低温AlN缓冲层后生长的。GaN具有较小的摇摆曲线的半高宽和较低的残余应变，而且其结构各向异性和残余应变各向异性也均有一定程度的降低。因此，与氮化处理相比，低温AlN缓冲层更有利于a-GaN的生长。
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