【摘 要】
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针对弹载记录仪中N A N D 型F lash 在负延时记录时写入速度低和可靠性差的问题,提出一种新型高速负延时存储方法.在研究NA N D 型F lash 存储器存储介质访问原理的基础上,采
【机 构】
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中北大学电子测试技术国家重点实验室,中北大学仪器科学与动态测试教育部实重点实验室,中北大学机电工程学院
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针对弹载记录仪中N A N D 型F lash 在负延时记录时写入速度低和可靠性差的问题,提出一种新型高速负延时存储方法.在研究NA N D 型F lash 存储器存储介质访问原理的基础上,采用当前成熟的高速率流水线存储技术,设计了一种单通道双控制总线的高速存储结构,解决了当前具有负延时的弹载记录仪存储速度的瓶颈问题.以SO PC 技术为基础,将整个控制系统构建在单片FPG A 上提高可靠性.试验结果验证了该存储体系结构单通道写入速度可达最高理论值40 M B /s,负延时容量、存储总容量根据要求可设置.
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