【摘 要】
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在GIS管道中传播的电磁波，在诸如拐弯、盆式绝缘子及套管等结构改变的位置，其电磁场分布会产生局部的畸变。这种畸变通常以集总电路元件的形式补偿到描述电磁波的传输线模型中
【机 构】
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华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划项目（973计划）（2011CB209405）国家电网公司科技项目“特高压GIS变电站VFTO关键技术应用研究”资助
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在GIS管道中传播的电磁波，在诸如拐弯、盆式绝缘子及套管等结构改变的位置，其电磁场分布会产生局部的畸变。这种畸变通常以集总电路元件的形式补偿到描述电磁波的传输线模型中。本文针对管道L型拐弯讨论了由电感和电容组成的兀型和T型两种等效补偿电路。基于电磁场仿真得到的L型管道的二端口网络参数，运用传输线理论导出了补偿电感和补偿电容的计算公式。结合某特高压GIS管道尺寸参数，计算得出兀型补偿时补偿电容大约在15-40pF，补偿电感大约在0．08～0．23μH，且随频率变化；T型补偿时，电容值大约在15-32pF，电
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