高色纯度有机白光电致发光器件

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhouly1982
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
介绍了具有高色纯度的多层有机白光器件,器件发光的色坐标为x=0.33,y=0.34,非常接近白光等能点,是色度很好的白光器件.而且在8~14 V很大的范围内,发光色度随器件的驱动电压或电流的变化不大,基本稳定在x=0.33,y=0.34.在电压为19 V时,器件的亮度达到了最大9 735 cd/m2, 在电压为9 V时,器件的效率达到了最大4.5 cd/A.
其他文献
用燃烧合成法制备了Lu2O3:Tb3+纳米粉末.产物为立方相结构,粒径在3~40nm之间可控.对不同颗粒度的样品的激发光谱、发射光谱和荧光衰减特性进行了研究.在紫外光激发下,样品显示
采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-
利用稳态荧光光谱和时间分辨超快光谱研究了DCM掺杂PVK(聚乙烯咔唑)体系的发光特性和能量转移.根据DCM的吸收光谱与PVK的荧光光谱,用Forster理论估算出DCM:PVK掺杂体系能量转
采用时间与空间分辨的光谱测量技术,测量了在低真空下XeCl紫外激光烧蚀金属Cu诱导产生等离子体发光羽的发射光谱随时间和空间的强度分布,利用快速同步照相的方法获得了发光羽的
采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/AlxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系.研究
通过不同Yb3+掺杂浓度(5%~30%,原子数分数)的Yb : YAG晶体的阴极射线发光谱、衰减时间、光输出及其温度依赖关系的测量,研究了Yb : YAG晶体的闪烁性能.不同Yb3+掺杂浓度的Yb :
运用密度矩阵方法推导出了特殊非对称量子阱中电光系数的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱为例进行了数字计算。计算结果表明,量子阱的非对称性随着参数α的增大而
给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte—Carl
采用变分法、幺正变换和拉格朗日乘子法,研究了有限温度下纯二维晶体中表面磁极化子的性质。讨论了表面光学声子平均数、磁极化子振动频率λ与磁场B、温度T及Lagrange乘子u之
考虑电子与体纵光学声子相互作用时,采用LLP变分方法,研究柱形量子线中极化子性质,导出了柱形量子线中极化子光学声子平均数随量子线截面半径和电子-LO声子耦合强度的变化关