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综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度,优化设计了GaInAs/InP PIN光电二极管的结构参数,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术和小光敏面的光耦合技术等,并采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装.研制的GaInAs/InP PIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz,响应度为0.7A/W,暗电流小于5nA.