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介绍了一种制作氧化限制型垂直腔面发射激光器的新途径，自绝缘工艺。采用该工艺制作了氧化限制型850nmVCSELs。详细地介绍了自绝缘器件的工作原理和制作流程，并对侧氧化相关参数进行了实验研究。在此基础上，制备了不同出光孔径的850nmVCSELs器件，测得出光孔径12μm的器件最大输出功率达到10mW，微分量子效率达到43％。对不同出光孔径的器件输出特性进行了对比，并分析了产生输出特性差异的原因。