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在蓝宝石衬底上制备了栅长Lg为0.25μm的增强型Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs,采用刻蚀凹栅与ALD(原子层淀积)Al_2O_3介质层的方法研制器件.研制的增强型MIS-HEMT器件的阈值电压为+2.2V,饱和电流为512.3mA/mm.通过变频变温C-V方法测试提取的Al_2O_3介质层与AlGaN势垒层之间的界面态密度相应于能级范围(EC-0.35)eV~(EC-0.65)eV从8.50×1012 cm-2eV-1减小到9.73×1011 cm-2eV-1