双栅MOSFET的实验特性

来源 :辽宁大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhut2009
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本文简要介绍了双栅MOSFET工作原理和物理模型。着重说明了双栅MOSFET在各种工作状态下的源——漏输出特性以及漏电导和跨导特性。在这项工作中,用来测试的双栅晶体管是采用n沟单层铝栅工艺制造的。 This article briefly introduces the dual-gate MOSFET working principle and physical model. It highlights the source-drain output characteristics, leakage conductance, and transconductance characteristics of the dual-gate MOSFET under various operating conditions. In this work, the double-gate transistor used for testing is made using an n-channel single-layer aluminum gate process.
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