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采用ＬＭＴＯ能带从头计算方法，计算了闪锌矿结构ＡＩＮ结构ＡｌＮ和ＧａＮ的静态性质；用平均键能方法，预言了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长，以ＡｌＮ为初底和以ＧａＮ为衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的△Ｅｖ值。
AIN,GaN立方晶体的静态性质和AIN／GaN异质结的价带偏移
【摘 要】
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采用ＬＭＴＯ能带从头计算方法，计算了闪锌矿结构ＡＩＮ结构ＡｌＮ和ＧａＮ的静态性质；用平均键能方法，预言了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长，以ＡｌＮ为初底和以ＧａＮ为衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的△Ｅｖ值。
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1997年1期
【基金项目】
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福建省自然科学基金
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