【摘 要】
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一、CMP平坦化技术及设备随着深亚微米光刻中数值孔径的增加和焦深的减小，硅片局部和整体平坦化的要求已变得愈来愈迫切。虽然有多种传统的平坦化技术，但是，化学一机械抛光（CMP）是
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一、CMP平坦化技术及设备随着深亚微米光刻中数值孔径的增加和焦深的减小，硅片局部和整体平坦化的要求已变得愈来愈迫切。虽然有多种传统的平坦化技术，但是，化学一机械抛光（CMP）是已知的唯一能使平坦化后具有低斜率的整体形貌平坦化技术。VLSI进入0．SPm时代后，多层金属布线层数增加，层间介质层的平坦化已变成最为关键的技术，但是，要将ILD工艺造成的不平坦的形貌平坦化是件非常困难的事情。目前常用的平坦化技术有热回流、偏置溅射介质、返腐蚀和自旋涂玻璃介质等。每一种技术都有其自己的优点和缺点。传统的平坦化技术仅能
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