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采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜（AFM）对金属有机化合物气相外延（MOVPE）在蓝宝石图形衬底（PSS）上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究，分析结果表明，位错来源于三个方面：一是“二步法”生长机制引入的位错；二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群；三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤。