【摘 要】
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采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MH
【机 构】
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上海交通大学微纳科学技术研究院微米／纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室
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采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效应分别达-23．5％和-16．8％。薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降，而纵向表现尤为明显。
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