论文部分内容阅读
对比研究了MgO和LaAlO3（LAO）单晶基片上采用脉冲激光法生长的SrTiO3（STO）薄膜的微观结构和介电性能，通过XRD，AFM和制备又指电容测量的方法研究发现，在MgO基片上生长高质量（00L）织构STO薄膜需要较高的生长温度；LAO基片上的STO薄膜更加平整；而MgO上的STO薄膜具有更高的零偏压介电常数和更强的非线性介电性质。