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利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法，在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量，首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层，然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光（PL）光谱的实验研究，发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的品格失配以及因热膨胀系数不同引起的品格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的（002）面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高，并且衍射峰的半高宽也由0．21°减小到0．18°，同时有低温缓冲层的样品