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采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后经过不同条件退火和在H2S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV-VIS分光光度计对ZnS薄膜样品进行了分析.结果表明,ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退火条件.真空和纯O2中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS.而在空气和纯N2中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS,在可见光范围内的光透过率可达约80％,禁带宽度分别为3.66和3.61 eV.ZnO薄膜的富氧、贫氧和近化学计量比状态是导致其硫化后性质差异的主要原因.