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本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立即得到折合到23℃的硅单晶断面的电阻率分布.本文阐述了规范化拟合的原理,给出了单晶硅的TCR的拟合结果.