退火温度对ZnO纳米线阵列形貌、结构和光学特性的影响

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为获得高质量的良好取向和低成本的ZnO纳米线阵列,利用化学浴沉积法,在石英玻璃基底上制备ZnO纳米线阵列,在Ar气气氛中对ZnO纳米线阵列分别进行400、600和800℃的退火1h处理,利用场发射扫描电子显微镜(FEsEM)、x射线衍射仪(xRD)、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪分别研究了它们的形貌、晶相结构和光学特性。结果显示,退火处理后,ZnO纳米线平均直径有所增加,800℃退火后,相邻ZnO纳米线产生粘结。随着退火温度增加,ZnO纳米线阵列的结晶质量逐渐提高,退火至600℃时,其结晶质量最佳;在可
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