论文部分内容阅读
本文在介绍长、短沟JFET沟道中电场的不同以及载流子漂移速度饱和概念的基础上,给出了Wong和Liou通过二维器件模拟程序PISCES分析双极工艺兼容的离子注入长、短沟JFET静态特性的方法和结果。除了分析线性区和饱和区外,他们的模拟还就JFET的过渡区提出了新的见解,给出了短沟JFET几种以前未曾强调的特性:a)在饱和区不会发生夹断;b)在饱和工作区自由载流子漂移速度发生饱和;c)截止区的I～V特性符合幂函数规律。在Wong和Liou的报道中,详细论述了导电沟道形状、电场矢量、电流矢量和电流电压特性的情