【摘 要】
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采用在阳极化反应时改变电流强度的办法，在高掺杂的P型硅（111）衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层。用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面处延生长了一层高质量的单
【机 构】
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复旦大学微电子系专用集成电路和系统国家重点实验室,复旦大学微电子系专用集成电路和系统国家重
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (批准号 :698760 0 7)~~
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采用在阳极化反应时改变电流强度的办法，在高掺杂的P型硅（111）衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层。用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面处延生长了一层高质量的单晶硅膜。在室温下，该外延硅片同另一生长有热二氧化硅的硅片键合在一起，在随后的热处理过程中，键合对可在多孔硅处裂开，从而使处延的单晶硅膜转移到具有二氧化硅的衬底上以形成SOI结构。扫描电镜、剖面投射电镜、扩展电阻和霍尔测试表明SOI样品具有较好的结构和电学性能。
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