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介绍了制备SiC纳米晶须的方法,包括:固相碳源法(电弧放电,电阻加热蒸发,SiOx薄膜生长及CNTS受限反应法),液相碳源法(sol-gel),及气相碳源法(浮动催化剂法,Fe纳米薄膜催化法)等.分析了各种方法的特点及存在的问题.对制备SiC纳米晶须的前景与发展方向进行了评述.
碳化硅纳米晶须的制备研究进展
【摘 要】
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介绍了制备SiC纳米晶须的方法,包括:固相碳源法(电弧放电,电阻加热蒸发,SiOx薄膜生长及CNTS受限反应法),液相碳源法(sol-gel),及气相碳源法(浮动催化剂法,Fe纳米薄膜催化法)
【机 构】
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上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2003年9期
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