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用显微光致发光(u-PL)平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究。分别在19um×16um的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量。对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度等参数,其平面分布对应于CAT中Zn的组分分布。统计的结果给出禁带宽度的不均匀性,对样品进行溴抛光后重复类似的测量,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善,接近了材料组分的真实分布。