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本论文着重论述未来CMOS进入纳米尺寸的关键挑战,如电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互边线延迟等影响。分析了纳米CMOS器件结构的设计,讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构,包括SOI CMOS、册和环栅MOSFET、凹陷沟道MOSFET、动态阈值MOSFET以及低温CMOS,它们可能把我们带到硅器件设计的最远极限。