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计算了Ga、Al、In掺杂对ZnO体系电子结构和光学性质的影响。所有计算都是基于密度泛函理论（DFT）框架下的第一原理平面波超软赝势方法。计算结果表明：Ga、Al、In掺杂在ZnO中占据了Zn位置，为n型浅施主掺杂，导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子，明显提高了体系的电导率。同时，光学带隙展宽，且向低能方向漂移，可作为优良的透明导电薄膜材料。同时，计算结果为我们制备基于ZnO透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据，也为监测和控制ZnO透明导电材料的生长过程提供了可能性。