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首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开.
硅中Ec—0.18ev铜能张的单轴应力深能级瞬态谱研究
【摘 要】
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首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴
【机 构】
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北京大学物理系,中国高等科学技术中心（世界实验室）
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1989年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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