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碲溶剂法生长高均匀性Hg1-xCdxTe体晶材料的工艺研究

来源 :红外技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aixuexier

【摘 要】

：

通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1

【作 者】

：

李富培 李玉德 郭云成 庄维莎 刘新进 

【机 构】

：

昆明物理研究所

【出 处】

：

红外技术

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

碲镉汞 红外材料 组分均匀性 HgCdTe  Infrared Materials  Compositional Uniformity 

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通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性(x为±0.003 mol.CdTe,达到了制作红外焦平面探测器列阵对材料的要求.

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