新型透明导电薄膜In2O3：Mo

来源 :真空科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong528

【摘要】

：

ＭｏＯ３的饱和蒸气压较高，可以直接用热反应蒸发法制备Ｉｎ２Ｏ３：Ｍｏ（ＩＭＯ）透明导电薄膜。ＸＰＳ和ＸＲＤ测试结果证明，ＩＭＯ薄膜中的Ｍｏ是以Ｍｏ＾６＋离子形式取代了Ｉｎ２Ｏ３晶格中的Ｉｎ＾３＋离子而存在的，没有形成新的化合物，也没有改变Ｉｎ２Ｏ３的体心立方晶格结

【作者】

：

孟扬章壮健

【机构】

：

复旦大学材料科学系

【出处】

：

真空科学与技术

【发表日期】

：

2000年5期

【关键词】

：

透明导电薄膜掺钼氧化铟反应蒸发电导率 Transparent conductive films Molybdenum doped indium oxide

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ＭｏＯ３的饱和蒸气压较高，可以直接用热反应蒸发法制备Ｉｎ２Ｏ３：Ｍｏ（ＩＭＯ）透明导电薄膜。ＸＰＳ和ＸＲＤ测试结果证明，ＩＭＯ薄膜中的Ｍｏ是以Ｍｏ＾６＋离子形式取代了Ｉｎ２Ｏ３晶格中的Ｉｎ＾３＋离子而存在的，没有形成新的化合物，也没有改变Ｉｎ２Ｏ３的体心立方晶格结构。在不进行退火、放电等工艺处理的情况下，用常规的反应蒸发法，在约３５０℃，１．２ｍｍ厚的载玻片上制备的ＩＭＯ薄膜在可见光区域的平均透射

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