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英飞凌科技股份公司宣布推出采用SuperS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperS08封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50％，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说，这种采用SuperS08封装的器件可以只用20％的占位空间提供与DLPak封装相同的通态电阻。