真空热蒸发镀CIAS薄膜

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采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备CuIn0.7Al0.3Se2(CIAS)薄膜,并对之进行450 ℃真空硒化退火处理.结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以(112)晶面优先生长.真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近CIAS晶体的化学计量比. 薄膜为P 型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1.38eV,带电粒子数下降至2.41E+17cm^-3,带电粒子迁移率增加至5.29cm2/(N·s),电阻率升高至4.9Ω·cm.
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