论文部分内容阅读
通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响，给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律；考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束，给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度；结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律，以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律，给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数，在实验误差范围内，理论计算结果与实验测试结果较好吻合．