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在GaN薄膜制备中，薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据。文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析．提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先果用闯值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像：然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度；最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型。实验结果表明此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量，为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用。