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采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷我晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化Ｐ波段脉冲大功率晶体管，该器件由１６个单胞内匹配而成，在该频带内，脉宽５００μｓ，占空比１５％，脉冲输出１５０Ｗ，增益大于１０ｄＢ，集电极效率大５０％。
P波段脉冲输出150W高增益功率晶体管
【摘 要】
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采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷我晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化Ｐ波段脉冲大功率晶体管，该器件由１６个单胞内匹配而成，在该频带内，脉宽５００μｓ，占空比
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1998年1期
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