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P波段脉冲输出150W高增益功率晶体管
P波段脉冲输出150W高增益功率晶体管
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jy156687
【摘 要】
:
采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷我晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术,研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管,该器件由16个单胞内匹配而成,在该频带内,脉宽500μs,占空比
【作 者】
:
王因生
单宁
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1998年1期
【关键词】
:
二次发射极镇流
多晶硅发射极
微波功率晶体管
Dual Emitter Ballasting Polysilicon Emitter Microwave Pow
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采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷我晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术,研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管,该器件由16个单胞内匹配而成,在该频带内,脉宽500μs,占空比15%,脉冲输出150W,增益大于10dB,集电极效率大50%。
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