【摘 要】
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本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金
【机 构】
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湘潭大学物理系，合肥工业大学应用物理系
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本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．
In this paper, polycrystalline diamond films grown on Si, Mo and other substrates by HFCVD are studied in more detail. The effect of growth conditions (substrate temperature, carbon source concentration and reaction pressure) on the growth of diamond thin film Topography impact. The results show that in the HFCVD method, the surface morphology of the diamond thin film is very sensitive to the growth conditions, and small changes in growth conditions lead to the growth of different surface crystalline forms.
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