Cu掺杂的金红石相金属氧化物半导体吸附HCl气体的光催化性能研究

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为了比较常见的3种金红石相半导体传感器的光催化性能的差异,文章基于密度泛函理论(DFT)体系下的平面波超软赝势方法,计算了HCl分子吸附于Cu掺杂的含氧空位金红石相TiO2、SnO2或GeO2表面后,各个体系的吸附距离、吸附能、电荷布局分布、光学性质。结果显示:HCl分子更容易被SnO2或GeO2体系吸附,吸附后的结构更稳定。SnO2体系中Cu杂质的引入,让体系在0.25eV和1eV附近出现了两个连续的态密度峰,同时其光学吸收性能在可见光范围也要优于TiO2和GeO2体系。
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