【摘 要】
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传统的改进型横向 SCR(MLSCR)器件能够在最小的面积下实现最大的静电放电(ESD)鲁棒性,被广泛应用于 ESD防护领域.但是,采用 55 nm CMOS外延工艺制作的 MLSCR器件会出现鲁棒性
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
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传统的改进型横向 SCR(MLSCR)器件能够在最小的面积下实现最大的静电放电(ESD)鲁棒性,被广泛应用于 ESD防护领域.但是,采用 55 nm CMOS外延工艺制作的 MLSCR器件会出现鲁棒性剧烈下降且回滞即失效的问题.对器件版图结构进行调整,并进行多组实验,验证了器件失效机理.实验结果表明,在 55 nm CMOS外延工艺下,阱的方块电阻阻值大大降低,导致主电流泄放通道难以开启,从而出现 MLSCR器件不能开启的问题.
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