LVTSCR相关论文
静电放电(Electro Etatic Discharge,ESD)已成为集成电路产品失效的一个主要原因,随着工艺技术的进步,器件的特征尺寸越来越小,芯......
传统 LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断.为了提高传统 LVTSCR 的维持电压,基于 0.18μm BCD工艺,......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
有源功率因数校正控制器主要应用于电子镇流器、LED灯驱动和AC/DC电源中。本文结合当前先进照明电源的要求,实现了微功耗启动,并且......
LVTSCR器件结构相对于普通SCR具有低电压触发特性而被广泛用于集成电路的片上静电放电(ESD)防护中。但是在ESD事件来临时,其维持电......
为实现对CMOS芯片进行ESD防护提出了一种互补式LVTSCR结构,给出了该结构横切面电路模型以及等效电路,分析了工作原理及可行性,并与......
静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)是生活中常见的自然现象,会造成集成电路的结损伤或烧毁、金属线熔断、栅氧层击穿,对集成......
CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。基于......
