【摘 要】
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实验发现在较高电流密度的电子束照射下(电流密度约为2nA/cm2),BST薄膜有辐照损伤现象发生.原位实时记录的Ti和O的电子能量损失电离边峰强度比和相对位移的变化表明:损伤过程
【机 构】
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清华大学材料科学与工程研究院电子显微镜实验室; 清华大学材料科学与工程研究院电子显微镜实验室 北京 100084; 北京 100084;
【基金项目】
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国家自然科学基金;国家973项目;清华大学985项目资助
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实验发现在较高电流密度的电子束照射下(电流密度约为2nA/cm2),BST薄膜有辐照损伤现象发生.原位实时记录的Ti和O的电子能量损失电离边峰强度比和相对位移的变化表明:损伤过程主要表现为薄膜失氧及其导致的正离子化学价态的变化.具高空间分辨的电子能量损失谱研究证明:相对于具有完整晶体结构的柱状晶晶粒内部,有着特殊结构和化学环境的柱状晶晶粒边界是失氧的主要途径.
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